HJT 2.0-technologie Door het getterproces en de enkelzijdige uc-Si-technologie te combineren, wordt een hogere celefficiëntie en een hoger modulevermogen gegarandeerd. -0,26%C Pmax temperatuurcoëfficiënt Stabielere prestaties op het gebied van energieopwekking en nog beter in een warm klimaat. SMBB-ontwerp met Half-Cut-technologie Kortere stroomtransmissieafstand, minder weerstandsverlies en hogere celefficiëntie. Tot 90% tweezijdigheid Natuurlijke symmetrische bifaciale structuur die meer energieopbrengst van de achterkant oplevert. Afdichten met kit op PIB-basis Sterkere waterbestendigheid, grotere luchtondoordringbaarheid om de levensduur van de module te verlengen.

Positieve machtstolerantie (0-+5W) gegarandeerd Hoge moduleconversie-efficiëntie (tot 22,82%) Langzamere vermogensdegradatie mogelijk gemaakt door Low LID-technologie: eerste jaar <1%,0,40% jaar 2-30 Solide PlD-resistentie door procesoptimalisatie van zonnecellen en zorgvuldige module-BOM-selectie Verminderd resistief verlies met een lagere bedrijfsstroom Hogere energieopbrengst met een lagere bedrijfstemperatuur Verminderd hotspotrisico met geoptimaliseerd elektrisch ontwerp en lagere bedrijfsstroom