HJT 2.0-technologie Door het getterproces en de enkelzijdige uc-Si-technologie te combineren, wordt een hogere celefficiëntie en een hoger modulevermogen gegarandeerd. -0,26%C Pmax temperatuurcoëfficiënt Stabielere prestaties op het gebied van energieopwekking en nog beter in een warm klimaat. SMBB-ontwerp met Half-Cut-technologie Kortere stroomtransmissieafstand, minder weerstandsverlies en hogere celefficiëntie. Tot 90% tweezijdigheid Natuurlijke symmetrische bifaciale structuur die meer energieopbrengst van de achterkant oplevert. Afdichten met kit op PIB-basis Sterkere waterbestendigheid, grotere luchtondoordringbaarheid om de levensduur van de module te verlengen.