HJT 2.0-technologieDoor het getterproces en de enkelzijdige uc-Si-technologie te combineren, wordt een hogere celefficiëntie en een hoger modulevermogen gegarandeerd.-0,26%C Pmax temperatuurcoëfficiëntStabielere prestaties op het gebied van energieopwekking en nog beter in een warm klimaat.SMBB-ontwerp met Half-Cut-technologieKortere stroomtransmissieafstand, minder weerstandsverlies en hogere celefficiëntie.Tot 90% tweezijdigheidNatuurlijke symmetrische bifaciale structuur die meer energieopbrengst van de achterkant oplevert.Afdichten met kit op PIB-basisSterkere waterbestendigheid, grotere luchtondoordringbaarheid om de levensduur van de module te verlengen.